(חוק מור: מספר הטרנזיסטורים במעגל משולב מוכפל כל שנתיים)
כיום רק אינטל, סמסונג ו-TSMC מסוגלות לייצר בגודל 7 ננומטר.
סמסונג הודיעה על טרנזיסטור חדש בגודל 3 ננומטר בשם טרנזיסטור nanosheet.
לטרנזיסטור מבנה שונה מטרנזיסטור ה-FinFET שנמצא בשימוש כיום.
המבנה החדש הוא בקצה יכולת הייצור.https://spectrum.ieee.org/semiconductors/devices/the-nanosheet-transistor-is-the-next-and-maybe-last-step-in-moores-law